MCG50N03-TP_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:55A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）提供55A的連續漏極電流，最大漏源電壓為30V，擁有4.7mΩ的超低導通電阻，支持±20V的柵源電壓。其卓越的電氣特性適合應用于精密的電源管理、快速開關電路和高效的能量轉換系統中。低導通電阻不僅減少了功率損耗，還提高了系統的整體效率，確保了在高負載條件下的穩定運行。此外，該MOSFET的緊湊設計也便于集成到空間受限的設計中。
