AS2304_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:5.8A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:28mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
此款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備出色的電氣特性，最大漏極電流ID可達(dá)5.8A，擊穿電壓VDSS為30V，導(dǎo)通電阻RDON僅為28mΩ，在VGS為12V時表現(xiàn)尤為優(yōu)異。這些參數(shù)確保了該MOSFET在高效率電源轉(zhuǎn)換、快速開關(guān)應(yīng)用及精密電流控制等場景中能夠提供穩(wěn)定可靠的表現(xiàn)。其低導(dǎo)通電阻有助于減少發(fā)熱，提高系統(tǒng)整體能效，適用于各種需要高效能與小體積解決方案的設(shè)計(jì)項(xiàng)目。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
