AS2308_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:3A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:72mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有3A的最大漏極電流（ID）和60V的擊穿電壓（VDSS），在20V柵源電壓（VGS）下工作時，其導通電阻（RDON）為72毫歐。這種配置使其特別適合于要求高效率和低功耗的應用場合，如便攜式電子設備的電源管理、信號放大和數字電路設計中的開關功能。其低導通電阻特性有助于降低能量損耗，提升整體系統的性能。
