APM2324AAC-TRG_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:3A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:43mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）具有3A的最大連續漏極電流（ID），20V的漏源極擊穿電壓（VDSS），以及43mΩ的導通電阻（RDS(on)）。其柵源極開啟電壓（VGS）為12V。這些特性使得該MOSFET適用于需要高效能開關操作的應用中，如電源管理電路、電池充電控制及信號放大等領域。其低導通電阻有助于減少能量損耗，提高系統效率，同時保證了良好的熱穩定性。
