APM2324AAC-TRG_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:3A 參數2:電壓VDSS:20V 參數3:RDON:43mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管(MOSFET)具有3A的最大連續漏極電流(ID),20V的漏源極擊穿電壓(VDSS),以及43mΩ的導通電阻(RDS(on))。其柵源極開啟電壓(VGS)為12V。這些特性使得該MOSFET適用于需要高效能開關操作的應用中,如電源管理電路、電池充電控制及信號放大等領域。其低導通電阻有助于減少能量損耗,提高系統效率,同時保證了良好的熱穩定性。
