ME13N10A_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:80mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）具有20A的連續漏極電流（ID）、100V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及80mΩ的導通電阻（RDS(on)）。其柵源電壓（VGS）最大值為20V，確保了寬廣的工作范圍與穩定性。該元件適用于需要高效能、低損耗的電路設計中，如電源轉換、開關電源及負載控制等應用場合。其出色的電氣特性使得在各種精密電子設備中實現快速響應與精確控制成為可能。
