ME2306D_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:5.8A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:28mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）擁有5.8A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），適合應用于要求較高效率和可靠性的電路中。其導通電阻（RDS(on)）低至28mΩ，有助于減少熱損耗，提高整體性能。支持12V的柵源電壓（VGS），提供了靈活的驅動條件。該MOSFET適用于電源轉換、信號放大和電子開關等功能，特別適合對空間有嚴格要求的設計項目。
