ME60N03_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:60A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有60A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源極擊穿電壓（VDSS），確保了其在高功率密度應(yīng)用中的穩(wěn)定性能。其導(dǎo)通電阻（RDON）僅為7mΩ，在保證高效能的同時降低了熱損耗。該MOSFET的最大柵源電壓（VGS）可達±20V，提供了寬泛的工作范圍，適合用于要求苛刻的電路設(shè)計中，如開關(guān)電源、電池管理和信號處理等領(lǐng)域。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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