ME2308S-G_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:3A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:72mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管(MOSFET)具備3A的最大連續漏極電流(ID/A)和60V的最大漏源電壓(VDSS/V)。其導通電阻(RDON/mR)僅為72毫歐,確保了高效率和低發熱。該MOSFET支持最高20V的柵源電壓(VGS/V),適用于多種電路設計中,如電源轉換、信號切換等場合,能夠滿足精密控制和高效能轉換的需求。
