ME2308S-G_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:3A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:72mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具備3A的最大連續漏極電流（ID/A）和60V的最大漏源電壓（VDSS/V）。其導通電阻（RDON/mR）僅為72毫歐，確保了高效率和低發熱。該MOSFET支持最高20V的柵源電壓（VGS/V），適用于多種電路設計中，如電源轉換、信號切換等場合，能夠滿足精密控制和高效能轉換的需求。
