ME35N06-G_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:27mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有20A的最大連續(xù)漏極電流（ID/A）和60V的最大漏源電壓（VDSS/V）。其低至27毫歐的導(dǎo)通電阻（RDON/mR）確保了在高電流應(yīng)用中的低損耗和高效性能。該MOSFET支持最高20V的柵源電壓（VGS/V），使其成為電源管理、信號(hào)放大及各種電子設(shè)備中的理想選擇，能夠有效提升系統(tǒng)的穩(wěn)定性和響應(yīng)速度。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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