ME15N10-G_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:80mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具備20安培的最大連續漏極電流（ID）和100伏特的漏源極斷態電壓（VDSS），能夠承受較高的電壓和電流。其導通電阻（RDS(on)）僅為80毫歐，保證了低功耗運行。該MOSFET支持最高20伏特的柵源電壓（VGS），適應多種應用場景。它適用于電源管理、信號處理和電子開關等領域，是實現高效能轉換和控制的理想選擇。
