ME4174_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:18A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）擁有18A的最大連續漏極電流（ID/A）和30V的最大漏源電壓（VDSS/V）。其超低的5毫歐導通電阻（RDON/mR）極大地降低了大電流工作時的功率損耗，提高了轉換效率。支持高達20V的柵源電壓（VGS/V），使得該MOSFET在電源開關、電池管理系統以及各類電子設備的電路設計中表現出色，能夠實現快速響應和穩定的性能。
