NVTFS5826NLTWG_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:40A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:12mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有40安培的最大連續漏極電流（ID）和60伏的最大漏源電壓（VDSS），適用于高效率的開關應用。其導通電阻（RDON）僅為12毫歐，在大電流應用中能保持較低的發熱水平。該MOSFET支持最高20伏的柵源電壓（VGS），確保了寬范圍的驅動兼容性。此元件廣泛適用于電源管理、電池充電控制及各類電子設備中的信號放大與開關功能。
