ME90N03_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:100A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:3.8mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）擁有100A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源極耐壓（VDSS），適用于需要大電流和高效率轉換的應用場景。其超低的導通電阻（RDON）僅為3.8mΩ，有效降低了工作過程中的能量損失和溫升。最大柵源電壓（VGS）達到±20V，確保了器件在不同條件下的可靠性和穩定性。該MOSFET特別適合于高性能的電源轉換器、電池管理系統以及各類精密電子裝置中的開關控制，能夠提供卓越的技術支持。
