PE616BA_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:35A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:6mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）具備35A的連續漏極電流（ID/A）與30V的漏源極斷態電壓（VDSS/V），適用于需要高效能與穩定性的電路設計。其導通電阻（RDON/mR）低至7.5毫歐，有助于降低發熱，提升電路效率。該MOSFET支持最高20V的柵源電壓（VGS/V），保證了在多種工作條件下的可靠性。此元件特別適合應用于開關電源轉換、電機控制及電子負載等場景，是實現精準控制與能量管理的優選方案。
