NVTFWS008N04CTAG_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:40A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:6.9mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）具備40A的最大連續漏極電流（ID）和40V的漏源擊穿電壓（VDSS），確保了其在高功率應用中的穩定性和可靠性。其導通電阻（RDON）僅為6.9毫歐，有效降低了工作時的功率損耗，提高了效率。該MOSFET的柵源電壓（VGS）范圍為±20V，支持廣泛的工作條件，適用于多種電路設計，如電源轉換、信號放大等場合，是高性能電子設備的理想選擇。
