PHD71NQ03LT,118_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）擁有50A的最大連續漏極電流（ID/A）和30V的漏源極擊穿電壓（VDSS/V），適用于對電流承載能力和電壓耐受性有較高要求的應用。其7.5毫歐的導通電阻（RDON/mR）確保了在大電流條件下也能保持較低的功率損耗，提升了系統的整體效率。該MOSFET的柵源電壓（VGS/V）為20V，支持在廣泛的電壓范圍內穩定工作。此元件適用于開關電源、電機驅動和信號處理等多種應用場景，是實現高效轉換和精確控制的優選解決方案。
