NVTFS4C10NTAG_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:35A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）擁有35A的最大連續(xù)漏極電流和30V的漏源極斷態(tài)電壓（VDSS），適用于多種電路設(shè)計需求。其導(dǎo)通電阻低至7.5毫歐（mΩ），在大電流條件下可顯著降低功耗，提升系統(tǒng)效率。該MOSFET支持最大20V的柵源電壓（VGS），確保了在廣泛的工作電壓范圍內(nèi)的穩(wěn)定性能。適用于電源管理、信號處理等領(lǐng)域的精密控制和高效轉(zhuǎn)換，是電子項目中的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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