SNN1000L10D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:80mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有20A的最大連續漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），能夠承受較高的工作電壓和電流。其導通電阻（RDS(on)）僅為80mΩ，在大電流應用中可以有效減少發熱，提高效率。該MOSFET的柵極閾值電壓（VGS）為20V，確保了在高電壓條件下穩定的工作性能。適用于開關電源、電機控制等高效率轉換場景。
