SM3323NHQGC-TRG_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:55A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）擁有卓越的電氣性能，最大漏極電流ID高達(dá)55A，最高漏源電壓VDSS為30V，同時(shí)具備非常低的導(dǎo)通電阻RDON，僅4.7mΩ。其柵源電壓VGS的最大值為20V，保證了元件在廣泛的電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。這種MOSFET適用于需要大電流處理能力和高效率的電路設(shè)計(jì)，如電源適配器、電池管理系統(tǒng)及各類電子設(shè)備中的快速開關(guān)和精密控制應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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