SM2326NSANC-TRG_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:3A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:43mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備優(yōu)秀的電氣特性，其最大漏極電流ID為3A，最高漏源電壓VDSS達(dá)到20V，導(dǎo)通電阻RDON僅為43mΩ，在12V的柵源電壓VGS下工作穩(wěn)定。這些參數(shù)使其成為高效能電路設(shè)計的理想選擇，特別適用于需要精確控制電流和電壓的場景，例如電源轉(zhuǎn)換、電子設(shè)備的開關(guān)控制以及各種便攜式設(shè)備中的信號調(diào)節(jié)等應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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