SM4364NAKPC-TRG_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:60A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.3mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有80A的額定漏極電流和30V的最大漏源電壓，適用于要求高電流承載能力和穩(wěn)定電壓控制的應(yīng)用場(chǎng)景。其導(dǎo)通電阻低至4.3mΩ，有助于減少工作時(shí)的能量損失，提高整體效率。該MOSFET支持的柵源電壓范圍為±20V，確保了在多種復(fù)雜電路條件下的可靠性和穩(wěn)定性。特別適合于需要精準(zhǔn)電流控制和快速響應(yīng)速度的電子項(xiàng)目，如電源管理、信號(hào)放大等場(chǎng)合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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