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HUS1GE35AT_SMA_快恢復(fù)/高效率二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SMA 類別:快恢復(fù)/高效率二極管 最小包裝:2000/圓盤 參數(shù)1:電流IO:1A 參數(shù)2:電壓VR:400V 參數(shù)3:壓降VF:1.3V 參數(shù)4:反向電流IR:5uA 標(biāo)價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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此款快恢復(fù)二極管具備高效率特點(diǎn),額定最大平均正向電流(IF)為1A,可承受的最高反向電壓(VR)為400V。當(dāng)處于正向?qū)顟B(tài)時,其電壓降(VF)為1.3V,有助于保持較高的轉(zhuǎn)換效率。反向漏電流(IR)維持在較低水平,僅為5μA,同時支持瞬態(tài)大電流(IFSM)30A的沖擊。該二極管適用于要求嚴(yán)苛的高頻切換電路及需要快速恢復(fù)時間的應(yīng)用場合。

企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:張婉儀
  • 聯(lián)系電話:18929373249
  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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