HES1DHE3AI_SMA_快恢復/高效率二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMA 類別：快恢復/高效率二極管 最小包裝：2000/圓盤 參數1：電流IO:1A 參數2：電壓VR:200V 參數3：壓降VF:0.95V 參數4：反向電流IR:5uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款快恢復二極管設計精良，具有高效的性能表現。其最大平均正向電流（IF）為1A，能夠穩定處理200V的最大反向電壓（VR）。在正向導通時，電壓降（VF）低至0.95V，有效降低能耗。反向漏電流（IR）被限制在5μA，確保了在待機模式下的低功耗表現。此外，該二極管可以承受高達30A的瞬態正向浪涌電流（IFSM），適用于高頻開關電路和其他需要快速恢復時間和高效率的應用場景中。
