HES1DE35AT_SMA_快恢復/高效率二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMA 類別：快恢復/高效率二極管 最小包裝：2000/圓盤 參數1：電流IO:1A 參數2：電壓VR:200V 參數3：壓降VF:0.95V 參數4：反向電流IR:5uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款快恢復二極管具有高效率特性，其最大平均正向電流（IF）為1安培，能夠承受最高反向電壓（VR）達到200伏特。在正向導通狀態下的電壓降（VF）僅為0.95伏特，這有助于減少能量損耗。該二極管的反向漏電流（IR）控制在微安級別，具體為5微安，在瞬態大電流（IFSM）情況下可承受高達30安培的峰值。這些特性使其非常適合用于高頻開關電源以及需要高效能整流的應用中。
