IDH08G65C6XKSA1_TO-220H-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220H-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流IO:8A 參數(shù)2：電壓VR:650V 參數(shù)3：壓降VF:1.3V 參數(shù)4：反向電流IR:50uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款碳化硅二極管的正向電流額定值為8A（IF/A），可承受的最大反向電壓為650V（VR/V）。其正向電壓降僅為1.3V（VF/V），有助于減少能量損耗。在反向測(cè)試條件下，漏電流不超過50μA（IR/uA）。此外，該二極管能夠處理高達(dá)64A的瞬態(tài)正向浪涌電流（IFSM/A）。這些特性使其成為高頻開關(guān)電路和高性能能量轉(zhuǎn)換解決方案的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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