IDL08G65C5-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流IO:8A 參數(shù)2：電壓VR:650V 參數(shù)3：壓降VF:1.42V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該碳化硅二極管為獨(dú)立式器件，額定正向電流（IF）為8A，反向重復(fù)峰值電壓（VR）達(dá)650V，適用于中等功率的電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其正向壓降（VF）典型值為1.42V，具有較低的導(dǎo)通損耗，有助于提升系統(tǒng)能效。基于碳化硅材料的特性，該器件具備優(yōu)異的高頻開關(guān)性能和良好的熱導(dǎo)率，反向恢復(fù)電荷小，可減少開關(guān)過程中的能量損耗。廣泛應(yīng)用于高效開關(guān)電源、可再生能源發(fā)電系統(tǒng)的逆變模塊、儲(chǔ)能設(shè)備中的整流電路以及對(duì)能效和功率密度要求較高的電力電子裝置。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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