S3D08065L-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流IO:8A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.42V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式配置，具備8A的正向電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），正向壓降低至1.42V。器件利用碳化硅材料特性，具有優異的開關性能和高溫工作能力，反向恢復時間極短，可有效降低系統開關損耗。其封裝設計有利于散熱與電路集成，適用于高頻率、高效率的電力轉換場合，如開關電源、光伏逆變、儲能系統及高密度電源模塊等場景，有助于提升整體能效與系統可靠性。
