FFSM0665B-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流IO:6A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.32V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管為獨立式結構，額定正向電流（IF）為6A，反向重復峰值電壓（VR）達650V，適用于中等功率電力轉換場景。其正向導通壓降（VF）低至1.32V，顯著減少導通損耗，提升系統能效。得益于碳化硅材料的高熱導率與高擊穿場強，器件具備優良的高溫工作能力與快速恢復特性，支持高頻開關運行。典型應用包括高效AC-DC與DC-DC轉換器、可再生能源發電系統的功率調節模塊、高密度電源適配器以及不間斷電源設備中的整流與反向阻斷電路，適用于對效率與可靠性要求較高的電力電子設計。
