SIC0860PL8-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN8X8B 類(lèi)別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流IO:8A 參數(shù)2：電壓VR:650V 參數(shù)3：壓降VF:1.42V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該碳化硅二極管采用獨(dú)立式配置，具備8A的正向電流（IF）和650V的反向重復(fù)峰值電壓（VR），在高頻開(kāi)關(guān)條件下表現(xiàn)出優(yōu)異的導(dǎo)通能力與耐壓性能。其正向壓降（VF）低至1.42V，有助于降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)整體能效。器件利用碳化硅材料的特性，具備快速恢復(fù)速度和良好的熱穩(wěn)定性，適用于高頻率、高效率的電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)。典型應(yīng)用場(chǎng)景包括開(kāi)關(guān)模式電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器及功率因數(shù)校正電路，適合對(duì)功率密度和轉(zhuǎn)換效率有較高要求的電子設(shè)備。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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