C6D06065Q-TR-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流IO:6A 參數(shù)2：電壓VR:650V 參數(shù)3：壓降VF:1.32V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該碳化硅二極管為單體結(jié)構(gòu)，額定正向電流（IF）為6A，反向重復(fù)峰值電壓（VR）達(dá)650V，正向?qū)▔航担╒F）低至1.32V。依托碳化硅半導(dǎo)體材料，具備出色的熱穩(wěn)定性和極快的開關(guān)速度，反向恢復(fù)時間短，漏電流小。適用于高效率、高頻率的電力轉(zhuǎn)換場景，如通信電源、不間斷電源系統(tǒng)、光伏逆變器中的續(xù)流與整流環(huán)節(jié)，以及高功率密度的開關(guān)電源模塊，有助于降低系統(tǒng)功耗，提升整體能效與運行可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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