WNSC04650T6J-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN8X8B 類(lèi)別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流IO:4A 參數(shù)2：電壓VR:650V 參數(shù)3：壓降VF:1.4V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該碳化硅二極管采用獨(dú)立式配置，具備4A的正向電流（IF）和650V的反向耐壓（VR），在高效能電力轉(zhuǎn)換中表現(xiàn)出色。其正向?qū)▔航担╒F）低至1.4V，有助于減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)整體效率。器件利用碳化硅材料的優(yōu)異特性，支持高頻工作，反向恢復(fù)時(shí)間極短，適用于高密度電源設(shè)計(jì)。典型應(yīng)用場(chǎng)景包括開(kāi)關(guān)模式電源、服務(wù)器電源單元、可再生能源逆變裝置及高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器，適合對(duì)熱性能和空間布局有嚴(yán)格要求的緊湊型電子設(shè)備。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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