SIC1060PL8-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN8X8B 類(lèi)別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流IO:10A 參數(shù)2：電壓VR:650V 參數(shù)3：壓降VF:1.37V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該碳化硅二極管為獨(dú)立式器件，具有10A的正向電流（IF）和650V的反向重復(fù)峰值電壓（VR），適用于中高電壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。其正向?qū)▔航担╒F）典型值為1.37V，在同類(lèi)器件中表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通損耗，有助于提升系統(tǒng)能效。基于碳化硅材料特性，該二極管具備快速開(kāi)關(guān)響應(yīng)和優(yōu)良的熱導(dǎo)性能，可支持高頻工作模式。廣泛應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換裝置、不間斷電源系統(tǒng)、可再生能源發(fā)電設(shè)備以及高密度開(kāi)關(guān)電源模塊，滿足對(duì)小型化、高效化電路設(shè)計(jì)的需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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