IDL04G65C5-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流IO:4A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.4V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式結構，額定正向電流（IF）為4A，反向重復峰值電壓（VR）達650V，適用于中等功率電力轉換應用。其正向導通壓降（VF）為1.4V，具備較低的導通損耗，有助于提升系統能效。得益于碳化硅材料特性，器件具有快速開關速度、低反向恢復電荷及良好的高溫工作性能。常用于高效電源適配器、不間斷電源系統、通信電源模塊以及可再生能源發電設備中的整流與防反接電路，適合在高頻、高效率拓撲結構中實現緊湊化設計與可靠運行。
