STPSC8H065DLF-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流IO:8A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.42V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管為獨立式器件，具備8A的正向電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），適用于中高功率電力轉換場景。其正向導通壓降為1.42V，在高頻工作條件下可有效降低導通損耗，提升系統效率。基于碳化硅材料的特性，該器件具有優異的開關速度與熱導性能，反向恢復電荷極小，有助于減少開關過程中的能量損耗。典型應用包括高效開關電源、直流-直流變換模塊、功率因數校正電路及高密度電源適配器，適合對能效、功率密度和熱管理有較高要求的電子系統設計。
