C6D10065Q-TR-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流IO:10A 參數(shù)2：電壓VR:650V 參數(shù)3：壓降VF:1.37V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該碳化硅二極管為獨立式器件，具備10A的正向電流（IF）和650V的反向重復(fù)峰值電壓（VR），正向壓降（VF）低至1.37V。采用碳化硅材料，具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和高頻開關(guān)特性，反向恢復(fù)時間極短，漏電流小。該器件適用于高密度電源系統(tǒng)，如高效能電源適配器、服務(wù)器電源模塊及可再生能源逆變裝置，能夠在高溫與高頻環(huán)境下保持穩(wěn)定運行，有效降低系統(tǒng)能量損耗，提升轉(zhuǎn)換效率，同時有助于減小外圍無源元件的體積與整體散熱需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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