FFSM0865B-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流IO:8A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.42V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式結構，具備8A的正向平均電流（IF）和650V的反向重復電壓（VR），適用于中等功率電壓等級的電路設計。其正向導通壓降（VF）典型值為1.42V，有助于降低導通損耗，提高能效表現?；谔蓟璨牧咸匦裕骷邆鋬灝惖母邷胤€定性和快速開關能力，反向恢復特性理想，適用于高頻開關電源、通信電源模塊、光伏逆變系統及高密度直流變換裝置等應用場景，能夠滿足對效率、尺寸和熱性能有較高要求的電力電子系統設計需求。
