IDL10G65C5XUMA2-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流IO:10A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.37V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管為獨立式單管結構，額定正向電流（IF）為10A，反向重復峰值電壓（VR）達650V，正向導通壓降（VF）典型值為1.37V。基于碳化硅半導體材料，具備出色的開關速度與高溫穩定性，反向恢復特性優異，漏電流低。其物理特性支持高頻工作環境下的高效能量轉換，適用于高密度電源系統，如通信電源、大功率適配器、不間斷電源（UPS）及可再生能源發電設備中的整流與防逆流電路，有助于降低系統熱損耗并提升功率密度。
