IDK08G120C5XTMA1-HXY_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流IO:8A 參數2：電壓VR:1200V 參數3：壓降VF:1.45V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管為獨立式器件，具備8A的正向電流（IF）和1200V的反向重復峰值電壓（VR），正向壓降為1.45V。基于碳化硅材料，具備優異的高溫穩定性和低導通損耗，反向恢復時間極短，適用于高頻開關環境。可用于高效率的AC-DC與DC-DC轉換電路，如服務器電源、儲能系統及大功率適配器中，有效提升能效并降低散熱負擔。封裝結構優化熱傳導路徑，支持緊湊型設計，滿足高可靠性應用對長期穩定運行的需求。
