WNSC08650T6J-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流IO:8A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.42V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式配置，具備8A的正向電流（IF）和650V的反向耐壓（VR），在高負載條件下可保持穩定性能。其正向導通壓降（VF）為1.42V，有助于降低導通損耗，提升能效。器件利用碳化硅材料特性，具有優異的高溫工作能力與開關速度，適用于高頻率、高效率的電源轉換場景。廣泛用于各類電力變換裝置中，如開關模式電源、DC-DC轉換器及功率因數校正電路，可有效提升系統整體效率與功率密度。
