IDK06G65C5XTMA2-HXY_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流IO:6A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.36V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管為獨立式配置，具備6A的正向電流（IF）和650V的反向耐壓（VR），適用于中高壓電源系統。其正向導通壓降（VF）為1.36V，在同類器件中表現優異，有助于降低導通損耗，提升能量轉換效率。得益于碳化硅材料的高熱導率與高擊穿電場特性，該二極管支持高頻開關操作，具備良好的熱穩定性與長期可靠性，常用于高效開關電源、光伏逆變裝置、儲能系統中的功率因數校正及直流變換電路，有助于減小磁性元件體積并提升系統功率密度。
