STPSC10H065DLF-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流IO:10A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.37V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該碳化硅二極管為獨立式結構，額定正向電流（IF）為10A，反向重復耐壓（VR）為650V，適用于中高電壓功率轉換場合。其正向導通壓降（VF）典型值為1.37V，具有較低的導通損耗，有助于提升系統能效。基于碳化硅材料特性，該器件具備優異的高溫工作性能和極快的開關速度，反向恢復電荷小，可有效減少開關損耗。適用于高頻率開關電源、高效直流變換器、儲能系統功率模塊及可再生能源逆變裝置等應用，特別適合對熱管理、能效和空間布局有較高要求的電路設計。
