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Si3932DV_SOT-23-6L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:SOT-23-6L 類別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000圓盤 參數(shù)1:N+N溝道 參數(shù)2:VDSS/30.0V 參數(shù)3:ID/4.5A 參數(shù)4:RDON/29.0mR 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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Si3932DV 是一款高性能NN溝道MOSFET,采用小巧的SOT-23-6L封裝,專為現(xiàn)代緊湊型電子設(shè)備設(shè)計(jì)。該器件可在30V的最大漏源電壓(VDSS)下穩(wěn)定工作,提供4.5A的連續(xù)漏極電流(ID),并擁有低至29mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on)),確保在高電流應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效能和低功耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)、邏輯電平轉(zhuǎn)換等電路設(shè)計(jì)中,是實(shí)現(xiàn)小型化、節(jié)能方案的理想半導(dǎo)體組件。

企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:張婉儀
  • 聯(lián)系電話:18929373249
  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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