FDMS6673BZ_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/70.0A 參數4：RDON/6.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
FDMS6673BZ P溝道MOSFET采用先進DFN5X6-8L封裝，融合了卓越散熱與緊湊體積。該器件性能優越，具備30V的最大漏源電壓(VDSS)，可支持高達70A的連續工作電流，且導通電阻(RD(on))低至6mΩ，有效提升系統能效，降低損耗。廣泛應用于電源轉換、電機驅動等高電流場景，是追求高性能、節能應用的理想半導體器件選擇。
