FDMS6681Z_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/110.0A 參數4：RDON/3.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
FDMS6681Z P溝道MOSFET采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，兼具出色散熱性能與高集成度。器件特性卓越具備30V的額定漏源電壓(VDSS)，可承載高達110A的連續電流，而其優秀的3mΩ導通電阻(RD(on))使得能效顯著提升，降低功耗損失。廣泛應用于高壓大電流領域，如電源轉換、電機驅動等，是提升系統性能與節能效果的理想半導體組件。
