SIR802DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/3.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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SIR802DP-T1-GE3 是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，專為高功率密度和低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì)。在20V電壓VDSS下，該器件能夠穩(wěn)定輸送高達(dá)80A的連續(xù)電流，展現(xiàn)出卓越的電流承載能力。其獨(dú)特之處在于擁有僅3.5mR的超低導(dǎo)通電阻RD(on)，有效提升了系統(tǒng)能效并減少了功耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他需要高性能低損耗MOSFET的場(chǎng)合，SIR802DP-T1-GE3 無(wú)疑是您理想的選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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