BSC123N08NS3G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/100.0V 參數3：ID/75.0A 參數4：RDON/7.3mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
BSC123N08NS3G 是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，專為現代高效能電子設備設計。器件亮點在于最大漏源電壓VDSS高達100V，可承受75A的連續漏極電流，且具備卓越的導通性能，導通電阻僅7.3mR，確保在大電流應用環境下仍維持低功耗與高效能。
