CSD16325Q5_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
CSD16325Q5 是一款N溝道MOS管，采用小型化DFN5X6-8L封裝，專為現(xiàn)代緊湊型電子設(shè)備設(shè)計。該器件可在30V的最大漏源電壓(VDSS)下工作，提供高達150A的連續(xù)漏極電流(ID)，展現(xiàn)卓越的電流處理能力。其亮點在于僅2mΩ的超低導(dǎo)通電阻(RD(on))，有效降低功耗并提升電路效率，適用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等高功率應(yīng)用場景，是實現(xiàn)高效能電路設(shè)計的理想半導(dǎo)體組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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