IRFH8311PBF_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/150.0A 參數4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
IRFH8311PBF N溝道MOS管，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，針對現代電子設備的小型化趨勢設計。該器件具有30V的最大漏源電壓，能承載高達150A的連續漏極電流，確保在重載條件下也能穩定工作。其導通電阻僅為2mΩ，實現了低功耗和高效能轉換，特別適用于電源轉換器、電機驅動、電池管理系統等領域的高效能電路設計，是提升系統性能的理想半導體元件。
