SIRA12DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/120.0A 參數(shù)4：RDON/3.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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SIRA12DP-T1-GE3 型號(hào)N溝道MOS管，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，兼顧小型化與高效散熱性能，特別適合于高集成度電路設(shè)計(jì)。器件支持30V額定電壓VDSS，提供高達(dá)120A的連續(xù)電流ID，展現(xiàn)了卓越的功率處理能力。其導(dǎo)通電阻僅為3.5mR，極大提升了能源轉(zhuǎn)換效率，降低了系統(tǒng)損耗。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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