DMN2009USS_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/6.3mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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DMN2009USS 型號(hào)MOS管采用精巧SOP-8封裝，內(nèi)含高效N溝道技術(shù)，專(zhuān)為高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件擁有20V的漏源電壓(VDSS)，確保在20A連續(xù)漏極電流(ID)下的穩(wěn)定工作，展現(xiàn)卓越的電流承載能力。其導(dǎo)通電阻(RD(on))低至6.3mR，極大地提高了電能轉(zhuǎn)換效率并降低熱量損耗。廣泛應(yīng)用于電源管理、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、高電流開(kāi)關(guān)控制等場(chǎng)景，是提升電子設(shè)備性能和節(jié)能表現(xiàn)的優(yōu)選半導(dǎo)體元器件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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